Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / H11A1S1(TB)-V
Herstellerteilenummer | H11A1S1(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-H11A1S1(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
H11A1S1(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 50% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A1S1(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | H11A1S1(TB)-V-FT |
4N35S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N35S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N35S1(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
4N35S1(TA)-V
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4N35S1(TB)
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4N35S1(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
4N36S(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel