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Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1

MFG-Teilenummer
IPAN60R650CEXKSA1
verfügbare Anzahl
30780 Stücke
Referenzpreis
USD 0.556864
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPAN60R650CEXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPAN60R650CEXKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPAN60R650CEXKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™
IPAN60R650CEXKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPAN60R650CEXKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPAN60R650CEXKSA1-FT

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