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Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1

Name: IPAN65R650CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN65R650CEXKSA1
Price: 1.04 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (18 reviews)

MFG-Teilenummer: IPAN65R650CEXKSA1

verfügbare Anzahl: 79240 Stücke

Referenzpreis: USD 1.04

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPAN65R650CEXKSA1.pdf

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IPAN65R650CEXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPAN65R650CEXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPAN65R650CEXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPAN65R650CEXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	28W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220 Full Pack
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPAN65R650CEXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPAN65R650CEXKSA1-FT

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