Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPAW60R190CEXKSA1
Herstellerteilenummer | IPAW60R190CEXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPAW60R190CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPAW60R190CEXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R190CEXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPAW60R190CEXKSA1-FT |
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
Infineon Technologies
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP316PE6327
Infineon Technologies
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP317PE6327
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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