Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB120N10S403ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB120N10S403ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB120N10S403ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB120N10S403ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10120pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N10S403ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB120N10S403ATMA1-FT |
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB031N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB033N10N5LFATMA1
Infineon Technologies