Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB60R199CPAATMA1
Herstellerteilenummer | IPB60R199CPAATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R199CPAATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB60R199CPAATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R199CPAATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R199CPAATMA1-FT |
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBI356-4
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