Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB65R380C6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB65R380C6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB65R380C6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPB65R380C6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R380C6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB65R380C6ATMA1-FT |
IPB120N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
IPB120P04P404ATMA1
Infineon Technologies
IPB12CN10N G
Infineon Technologies
IPB12CNE8N G
Infineon Technologies
IPB136N08N3 G
Infineon Technologies
IPB13N03LB
Infineon Technologies
IPB13N03LB G
Infineon Technologies
IPB147N03LGATMA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel