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Herstellerteilenummer | IPB80N06S405ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB80N06S405ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S405ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S405ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB80N06S405ATMA1-FT |
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1
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IPB60R160C6ATMA1
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
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