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Infineon Technologies IPC218N04N3X1SA1
- MFG-Teilenummer
- IPC218N04N3X1SA1
- verfügbare Anzahl
- 73140 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.7578
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPC218N04N3X1SA1.pdf
IPC218N04N3X1SA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPC218N04N3X1SA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPC218N04N3X1SA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | OptiMOS™ |
| IPC218N04N3X1SA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Paket / fall | Die |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPC218N04N3X1SA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPC218N04N3X1SA1-FT |
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