Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPC26N12NX1SA1

Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1

Name: IPC26N12NX1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC26N12NX1SA1
Price: 2.569456 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (28 reviews)

MFG-Teilenummer: IPC26N12NX1SA1

verfügbare Anzahl: 46180 Stücke

Referenzpreis: USD 2.569456

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPC26N12NX1SA1.pdf

IPC26N12NX1SA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPC26N12NX1SA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPC26N12NX1SA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPC26N12NX1SA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 244µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Sawn on foil
Paket / fall	Die
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC26N12NX1SA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPC26N12NX1SA1-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns