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Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1

Name: IPD65R1K4CFDBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R1K4CFDBTMA1
Price: 0.40856 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (124 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD65R1K4CFDBTMA1

verfügbare Anzahl: 82230 Stücke

Referenzpreis: USD 0.40856

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf

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IPD65R1K4CFDBTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD65R1K4CFDBTMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD65R1K4CFDBTMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPD65R1K4CFDBTMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	262pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	28.4W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R1K4CFDBTMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD65R1K4CFDBTMA1-FT

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