Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD70R950CEAUMA1
Herstellerteilenummer | IPD70R950CEAUMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPD70R950CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD70R950CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R950CEAUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD70R950CEAUMA1-FT |
IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel