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Infineon Technologies IPD80N06S3-09

Name: IPD80N06S3-09
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80N06S3-09
Availability: InStock
Rating: 4.9 (711 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD80N06S3-09

verfügbare Anzahl: 47960 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD80N06S3-09.pdf

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IPD80N06S3-09 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD80N06S3-09
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD80N06S3-09
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPD80N06S3-09 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 55µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD80N06S3-09 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD80N06S3-09-FT

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