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Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA1

MFG-Teilenummer
IPD80P03P4L07ATMA1
verfügbare Anzahl
42990 Stücke
Referenzpreis
USD 0.493664
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPD80P03P4L07ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD80P03P4L07ATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPD80P03P4L07ATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPD80P03P4L07ATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD80P03P4L07ATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD80P03P4L07ATMA1-FT

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