Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPW65R280E6FKSA1
Herstellerteilenummer | IPW65R280E6FKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPW65R280E6FKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPW65R280E6FKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R280E6FKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPW65R280E6FKSA1-FT |
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
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IPP60R280P7XKSA1
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IPP60R360P7XKSA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1
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IPD80R900P7ATMA1
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IPD95R1K2P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel