Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP50R350CPXKSA1
Herstellerteilenummer | IPP50R350CPXKSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPP50R350CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPP50R350CPXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R350CPXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP50R350CPXKSA1-FT |
IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies
IPP06N03LA
Infineon Technologies
IPP070N06L G
Infineon Technologies
IPP070N06N G
Infineon Technologies
IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.