Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP80N06S2L11AKSA2
Herstellerteilenummer | IPP80N06S2L11AKSA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP80N06S2L11AKSA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S2L11AKSA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2075pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 158W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2L11AKSA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP80N06S2L11AKSA2-FT |
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R500CEXKSA1
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IPP50R520CPHKSA1
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IPP50R520CPXKSA1
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IPP600N25N3GXKSA1
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IPP60R099C7XKSA1
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IPP60R099CPAAKSA1
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A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
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M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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A54SX32A-2TQG100I
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10AX115N3F40I3SGES
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