Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP80N06S2L11AKSA2
Herstellerteilenummer | IPP80N06S2L11AKSA2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP80N06S2L11AKSA2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S2L11AKSA2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2075pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 158W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S2L11AKSA2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP80N06S2L11AKSA2-FT |
IPP50R399CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R500CEXKSA1
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IPP50R520CPHKSA1
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IPP50R520CPXKSA1
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IPP600N25N3GXKSA1
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IPP60R060C7XKSA1
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IPP60R099C7XKSA1
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IPP60R099CPAAKSA1
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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