Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP80N06S407AKSA1
Herstellerteilenummer | IPP80N06S407AKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP80N06S407AKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S407AKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S407AKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP80N06S407AKSA1-FT |
IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel