Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP80R1K2P7XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP80R1K2P7XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP80R1K2P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPP80R1K2P7XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 37W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80R1K2P7XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP80R1K2P7XKSA1-FT |
IPB160N08S403ATMA1
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