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Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1

Name: IPS110N12N3GBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS110N12N3GBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (296 reviews)

MFG-Teilenummer: IPS110N12N3GBKMA1

verfügbare Anzahl: 40090 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPS110N12N3GBKMA1.pdf

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IPS110N12N3GBKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPS110N12N3GBKMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPS110N12N3GBKMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPS110N12N3GBKMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 60V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Paket / fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS110N12N3GBKMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPS110N12N3GBKMA1-FT

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