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Infineon Technologies IPS12CN10LGBKMA1

Name: IPS12CN10LGBKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS12CN10LGBKMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (53 reviews)

MFG-Teilenummer: IPS12CN10LGBKMA1

verfügbare Anzahl: 79180 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPS12CN10LGBKMA1.pdf

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IPS12CN10LGBKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPS12CN10LGBKMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPS12CN10LGBKMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPS12CN10LGBKMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	69A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5600pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Paket / fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS12CN10LGBKMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPS12CN10LGBKMA1-FT

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