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Infineon Technologies IPZ40N04S58R4ATMA1

Name: IPZ40N04S58R4ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S58R4ATMA1
Price: 0.2534 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (523 reviews)

MFG-Teilenummer: IPZ40N04S58R4ATMA1

verfügbare Anzahl: 30650 Stücke

Referenzpreis: USD 0.2534

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPZ40N04S58R4ATMA1.pdf

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IPZ40N04S58R4ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPZ40N04S58R4ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPZ40N04S58R4ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPZ40N04S58R4ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	13.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	771pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-32
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPZ40N04S58R4ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPZ40N04S58R4ATMA1-FT

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