Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Herstellerteilenummer | IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 17µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 48W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPZ40N04S5L4R8ATMA1-FT |
BSC070N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC072N025S G
Infineon Technologies
BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC076N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC077N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies
BSC079N03SG
Infineon Technologies
BSC079N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC080P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel