Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF1010EZSPBF
Herstellerteilenummer | IRF1010EZSPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF1010EZSPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF1010EZSPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 51A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2810pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010EZSPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF1010EZSPBF-FT |
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R099C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel