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Infineon Technologies IRF1010EZS

Name: IRF1010EZS
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010EZS
Availability: InStock
Rating: 4.6 (354 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF1010EZS

verfügbare Anzahl: 17080 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF1010EZS.pdf

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IRF1010EZS Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF1010EZS
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF1010EZS
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF1010EZS Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010EZS Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF1010EZS-FT

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