Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF2903ZSTRLP
Herstellerteilenummer | IRF2903ZSTRLP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF2903ZSTRLP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF2903ZSTRLP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6320pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 290W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2903ZSTRLP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF2903ZSTRLP-FT |
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L09ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2L11ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L11ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
IPB80N06S3-05
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel