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Infineon Technologies IRF3205STRRPBF

Name: IRF3205STRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205STRRPBF
Price: 0.72996 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (118 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF3205STRRPBF

verfügbare Anzahl: 83500 Stücke

Referenzpreis: USD 0.72996

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF3205STRRPBF.pdf

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IRF3205STRRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF3205STRRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF3205STRRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF3205STRRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	146nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3247pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3205STRRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF3205STRRPBF-FT

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