Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3205ZS
Herstellerteilenummer | IRF3205ZS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3205ZS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3205ZS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3450pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3205ZS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3205ZS-FT |
IPB80N06S3-05
Infineon Technologies
IPB80N06S3-07
Infineon Technologies
IPB80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPB80N06S3L-06
Infineon Technologies
IPB80N06S405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S405ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S407ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel