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Infineon Technologies IRF3808STRRPBF

Name: IRF3808STRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRRPBF
Price: 1.3596 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (629 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF3808STRRPBF

verfügbare Anzahl: 41110 Stücke

Referenzpreis: USD 1.3596

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF3808STRRPBF.pdf

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IRF3808STRRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF3808STRRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF3808STRRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF3808STRRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5310pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3808STRRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF3808STRRPBF-FT

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