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Infineon Technologies IRF640NLPBF

MFG-Teilenummer
IRF640NLPBF
verfügbare Anzahl
17860 Stücke
Referenzpreis
USD 1.64
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF640NLPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF640NLPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF640NLPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF640NLPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-262
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF640NLPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF640NLPBF-FT

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