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Infineon Technologies IRF6646TR1PBF

Name: IRF6646TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (702 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6646TR1PBF

verfügbare Anzahl: 58060 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6646TR1PBF.pdf

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IRF6646TR1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6646TR1PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6646TR1PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6646TR1PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MN
Paket / fall	DirectFET™ Isometric MN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6646TR1PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6646TR1PBF-FT

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