Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6662TRPBF
Herstellerteilenummer | IRF6662TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6662TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6662TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MZ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6662TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6662TRPBF-FT |
IRF6711STRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STR1PBF
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IRF6713STR1PBF
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
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EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation