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Infineon Technologies IRFB4110PBF

Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4110PBF
Price: 3.456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (492 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB4110PBF

verfügbare Anzahl: 54600 Stücke

Referenzpreis: USD 3.456

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB4110PBF.pdf

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IRFB4110PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB4110PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB4110PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB4110PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9620pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	370W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB4110PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB4110PBF-FT

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