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Infineon Technologies IRFH4210DTRPBF

Name: IRFH4210DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH4210DTRPBF
Price: 0.81972 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFH4210DTRPBF

verfügbare Anzahl: 80750 Stücke

Referenzpreis: USD 0.81972

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFH4210DTRPBF.pdf

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IRFH4210DTRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFH4210DTRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFH4210DTRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFH4210DTRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	44A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4812pF @ 13V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PQFN (5x6)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH4210DTRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFH4210DTRPBF-FT

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