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Herstellerteilenummer | IRFHM792TR2PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM792TR2PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFHM792TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 251pF @ 25V |
Leistung max | 2.3W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM792TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFHM792TR2PBF-FT |
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