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Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF
- MFG-Teilenummer
- IRFHM8363TRPBF
- verfügbare Anzahl
- 54380 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.308
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRFHM8363TRPBF.pdf
IRFHM8363TRPBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRFHM8363TRPBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM8363TRPBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRFHM8363TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Not For New Designs |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Leistung max | 2.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFHM8363TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRFHM8363TRPBF-FT |
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