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Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF

Name: IRFHM8363TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8363TRPBF
Price: 0.308 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (182 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFHM8363TRPBF

verfügbare Anzahl: 54380 Stücke

Referenzpreis: USD 0.308

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFHM8363TRPBF.pdf

IRFHM8363TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFHM8363TRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFHM8363TRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFHM8363TRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Leistung max	2.7W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8363TRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFHM8363TRPBF-FT

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