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Herstellerteilenummer | IRFHM9331TR2PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM9331TR2PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFHM9331TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 11A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1543pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM9331TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFHM9331TR2PBF-FT |
BSC22DN20NS3GATMA1
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