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Herstellerteilenummer | IRFR9110TRRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFR9110TRRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRFR9110TRRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR9110TRRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFR9110TRRPBF-FT |
SISH617DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS32DN-T1-GE3
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SIS106DN-T1-GE3
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SISH129DN-T1-GE3
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SISS02DN-T1-GE3
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SISS04DN-T1-GE3
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SISS06DN-T1-GE3
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SISS08DN-T1-GE3
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SISS22DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS27DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel