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Infineon Technologies IRFU13N20DPBF

Name: IRFU13N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFU13N20DPBF
Price: 1.112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (446 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFU13N20DPBF

verfügbare Anzahl: 12550 Stücke

Referenzpreis: USD 1.112

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFU13N20DPBF.pdf

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IRFU13N20DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFU13N20DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFU13N20DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFU13N20DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	IPAK (TO-251)
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU13N20DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFU13N20DPBF-FT

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