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Infineon Technologies IRFU3410PBF

MFG-Teilenummer
IRFU3410PBF
verfügbare Anzahl
53390 Stücke
Referenzpreis
USD 0.888
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRFU3410PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFU3410PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFU3410PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFU3410PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU3410PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFU3410PBF-FT

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