Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXBT12N300
Herstellerteilenummer | IXBT12N300 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXBT12N300 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | BIMOSFET™ |
IXBT12N300 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 3000V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 12A |
Leistung max | 160W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 62nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.4µs |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBT12N300 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXBT12N300-FT |
APT65GP60B2G
Microsemi Corporation
APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation
APT100GN120B2G
Microsemi Corporation
APT25GN120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation