Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXBT2N250
Herstellerteilenummer | IXBT2N250 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXBT2N250 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | BIMOSFET™ |
IXBT2N250 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 2500V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 13A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 2A |
Leistung max | 32W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 10.6nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 920ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBT2N250 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXBT2N250-FT |
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation
APT102GA60B2
Microsemi Corporation