Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH66N20Q
Herstellerteilenummer | IXFH66N20Q |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH66N20Q |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFH66N20Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 400W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH66N20Q Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH66N20Q-FT |
IXFH16N80P
IXYS
IXFH170N10P
IXYS
IXFH18N100Q3
IXYS
IXFH18N60P
IXYS
IXFH18N60X
IXYS
IXFH18N90P
IXYS
IXFH20N100P
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IXFH22N60P
IXYS
A3P030-2QNG68I
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Xilinx Inc.
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A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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