Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH6N100
Herstellerteilenummer | IXFH6N100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH6N100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFH6N100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH6N100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH6N100-FT |
IXFH18N100Q3
IXYS
IXFH18N60P
IXYS
IXFH18N60X
IXYS
IXFH18N90P
IXYS
IXFH20N100P
IXYS
IXFH20N50P3
IXYS
IXFH20N80P
IXYS
IXFH22N60P
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IXFH22N65X2
IXYS
IXFH230N075T2
IXYS
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
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