Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFL30N120P
Herstellerteilenummer | IXFL30N120P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFL30N120P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFL30N120P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 357W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUSi5-Pak™ |
Paket / fall | ISOPLUSi5-Pak™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFL30N120P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFL30N120P-FT |
MMIX1F44N100Q3
IXYS
MMIX1F520N075T2
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IXTA12N65X2
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IXTV280N055T
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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