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Herstellerteilenummer | IXFJ20N85X |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFJ20N85X |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFJ20N85X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 850V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISO TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ20N85X Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFJ20N85X-FT |
IXTN200N10T
IXYS
IXTN210P10T
IXYS
IXTN240N075L2
IXYS
IXTN32P60P
IXYS
IXTN8N150L
IXYS
IXTN90P20P
IXYS
IXFN80N50
IXYS
IXFN220N20X3
IXYS
IXFN170N10
IXYS
IXTN36N50
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel