Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFN20N120P
Herstellerteilenummer | IXFN20N120P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN20N120P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Polar™ |
IXFN20N120P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 595W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN20N120P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN20N120P-FT |
IXFH40N30Q
IXYS
IXFH40N50Q
IXYS
IXFH40N50Q2
IXYS
IXFH4N100Q
IXYS
IXFH58N20Q
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IXFH6N100
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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