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IXFN20N120 Image

IXYS IXFN20N120

MFG-Teilenummer
IXFN20N120
verfügbare Anzahl
43540 Stücke
Referenzpreis
USD 21.3864
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™ MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFN20N120 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFN20N120
Zukünftige Teilenummer FT-IXFN20N120
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™
IXFN20N120 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 780W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B
Paket / fall SOT-227-4, miniBLOC
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN20N120 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFN20N120-FT

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