Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT6N100Q
Herstellerteilenummer | IXFT6N100Q |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT6N100Q |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFT6N100Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT6N100Q Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT6N100Q-FT |
IXTK62N25
IXYS
IXTK75N30
IXYS
IXTK80N25
IXYS
IXTK88N30P
IXYS
IXTK90N15
IXYS
IXTT16N20D2
IXYS
IXTT2N170D2
IXYS
IXTT16P60P
IXYS
IXTT30N60L2
IXYS
IXTT48P20P
IXYS