Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTH62N65X2
Herstellerteilenummer | IXTH62N65X2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTH62N65X2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXTH62N65X2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 62A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5940pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH62N65X2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTH62N65X2-FT |
IXTH2N300P3HV
IXYS
IXTH06N220P3HV
IXYS
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IXTH30N60L2
IXYS
IXTH110N10L2
IXYS
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
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Intel